[实用新型]坩埚组件和具有其晶体生长设备

说明书

本实用新型公开了一种坩埚组件和具有其的晶体生长设备，坩埚组件包括石英坩埚和氮化硅坩埚，氮化硅坩埚至少设于石英坩埚的内底壁，且氮化硅坩埚和石英坩埚通过定位结构定位配合，定位结构包括定位孔和配合于定位孔的定位凸起。根据本实用新型的坩埚组件，可以降低晶体中的含氧量,便于晶体含氧量的有效控制,同时可以根据晶体含氧量的差异化需求相应适应性调整；同时氮化硅坩埚与液态硅为惰性反应，便于将剩余硅料与坩埚组件分离，降低剩余硅料循环利用的难度，且降低了剩余硅料的污染程度和损耗程度，节约生产成本；而且通过氮化硅坩埚和石英坩埚之间的定位结构，便于保证氮化硅坩埚和石英坩埚配合可靠，且结构简单、加工方便。

技术领域

本实用新型涉及石英坩埚技术领域，尤其是涉及一种尤其是涉及一种坩埚组件和具有其的晶体生长设备。

背景技术

相关技术中，在单晶硅生长过程中，熔化的硅料是由石英坩埚承载，液态硅在长晶和长晶结束后始终接触石英坩埚内表面。然而，液态硅与石英坩埚过大的接触面积会引入过多的氧杂质，导致单晶硅的氧含量易过高；而且，在长晶结束，剩余的液态硅凝固后会与石英坩埚发生粘连造成污染和损耗，增加了剩余硅料循环利用的难度。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种坩埚组件，所述坩埚组件可以有效控制晶体内的氧含量，且降低长晶结束后剩余硅料利用难度。

本实用新型还提出一种具有上述坩埚组件的晶体生长设备。

根据本实用新型第一方面实施例的坩埚组件，包括：石英坩埚；氮化硅坩埚，所述氮化硅坩埚至少设于所述石英坩埚的内底壁，且所述氮化硅坩埚和所述石英坩埚通过定位结构定位配合，所述定位结构包括定位孔和配合于所述定位孔的定位凸起。

根据本实用新型实施例的坩埚组件，通过将氮化硅坩埚至少设于石英坩埚的内底壁，以使氮化硅坩埚覆盖石英坩埚的内壁的至少部分，从而降低晶体中的氧含量，便于晶体氧含量的有效控制，同时可以根据晶体氧含量的差异化需求可以相应适应性调整；同时氮化硅坩埚与液态硅为惰性反应，便于将剩余硅料与坩埚组件分离，降低剩余硅料循环利用的难度，且降低了剩余硅料的污染程度和损耗程度，节约生产成本；而且通过氮化硅坩埚和石英坩埚之间的定位结构，便于保证氮化硅坩埚和石英坩埚配合可靠，且结构简单、加工方便。

在一些实施例中，所述定位凸起一体成型在所述石英坩埚的所述内底壁上且沿轴向设置，所述定位孔形成在所述氮化硅坩埚上。

在一些实施例中，所述定位凸起为多个，多个所述定位凸起均设于所述石英坩埚的R角处且沿周向间隔设置。

在一些实施例中，所述石英坩埚具有内侧壁，所述内侧壁连接在所述内底壁的轴向上端，所述氮化硅坩埚覆盖所述内侧壁的至少一部分。

在一些实施例中，所述氮化硅坩埚上形成有贯通孔，沿周向间隔设置的多个所述贯通孔组成一组开孔组，所述开孔组为多组，多组所述开孔组沿径向间隔设置。

在一些实施例中，多组所述开孔组的所述贯通孔的数量相等；或者，至少相邻两组所述开孔组的所述贯通孔的数量沿径向由内向外增大。

在一些实施例中，多组所述开孔组的所述贯通孔的开孔面积相等；或者，至少相邻两组所述开孔组的所述贯通孔的开孔面积沿径向由内向外增大。

在一些实施例中，所述石英坩埚上形成有多个配合凸起，每个所述配合凸起穿设于对应所述贯通孔，所述配合凸起的外周壁与对应所述贯通孔的壁面接触设置或间隔设置。

在一些实施例中，至少一个所述配合凸起伸出所述贯通孔。

根据本实用新型第二方面实施例的晶体生长设备，包括根据本实用新型上述第一方面实施例的坩埚组件。

根据本实用新型实施例的晶体生长设备，通过采用上述的坩埚组件，可以提高剩余硅料的利用率，节约成本。