[实用新型]一种控制晶圆翘曲的加热装置有效
申请号: | 202222285892.7 | 申请日: | 2022-08-30 |
公开(公告)号: | CN218182172U | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 孙群峰;梁新夫;赵强;向金贝 | 申请(专利权)人: | 长电集成电路(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 刘裕 |
地址: | 312000 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体领域,具体公开了一种控制晶圆翘曲的加热装置,包括箱体和包裹在箱体外的第一加热器,加热装置还包括加热控制模块、第二加热器和支撑单元,其中加热控制模块包括用于测定箱体内温度的第一温度检测单元、用于测定加热盘边缘处和/或中心处的第二温度检测单元以及用于控制第一加热器和第二加热器的控制器,第一加热器、第一温度检测单元、第二温度检测单元和加热盘均与控制器电联接。本方案控制器对第一温度检测单元和第二温度检测单元测得的温度进行对比,并根据温差情况来控制加热盘的温度,缩小加热盘与箱体内空气的温差,使晶圆被均匀地加热,进而降低晶圆产生二次翘曲的可能性。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 晶圆翘曲 加热 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造