[实用新型]系统级双面硅基扇出封装结构有效

专利信息
申请号: 202222227679.0 申请日: 2022-08-23
公开(公告)号: CN218867082U 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 张鹏;耿雪琪;王成迁 申请(专利权)人: 无锡中微高科电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/538
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型关于系统级双面硅基扇出封装结构,涉及集成电路封装技术领域。该系统级双面硅基扇出封装结构包括硅基板;硅基板的第一表面以及硅基板的第二表面上分别设置有至少一个凹槽;在第一表面的凹槽内设置有至少两个功能芯片,且在第二表面的凹槽内设置有至少两个功能芯片;第一表面的凹槽位置与第二表面的凹槽位置对应;硅基板上具有至少两个通孔;硅基板的第一表面设置有上层金属布线层,上层金属布线层覆盖第一表面;硅基板的第二表面上设置有下层金属布线层以及凸点。通过在硅基板的双面进行凹槽的设置,并使得双面凹槽均可以承载至少两个芯片,使得多个芯片以系统级封装的形式埋与硅基板中,提高了封装结构的集成度。
搜索关键词: 系统 双面 硅基扇出 封装 结构
【主权项】:
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