[实用新型]系统级双面硅基扇出封装结构有效
| 申请号： | 202222227679.0 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN218867082U | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;耿雪琪;王成迁 | 申请（专利权）人： | 无锡中微高科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/538 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 系统 双面 硅基扇出 封装 结构 | ||
1.一种系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述系统级双面硅基扇出封装结构包括硅基板（1）；
所述硅基板（1）的第一表面（2）以及所述硅基板（1）的第二表面（3）上分别设置有至少一个凹槽（4）；
在所述第一表面（2）的凹槽（4）内设置有至少两个功能芯片（5），且在所述第二表面（3）的凹槽（4）内设置有至少两个功能芯片（5）；
所述第一表面（2）的凹槽（4）位置与所述第二表面（3）的凹槽（4）位置对应；
所述硅基板（1）上具有至少两个通孔（6），至少两个所述通孔（6）位于所述凹槽（4）的两侧，所述通孔（6）贯穿所述第一表面（2）以及所述第二表面（3），所述通孔（6）中填充有导电介质（7）；
所述硅基板（1）的第一表面（2）设置有上层金属布线层（8），所述上层金属布线层（8）覆盖所述第一表面（2）；
所述硅基板（1）的第二表面（3）上设置有下层金属布线层（9）以及凸点（10），所述凸点的分布面积大于所述第二表面的凹槽内设置的所述功能芯片的面积之和；
所述上层金属布线层（8）以及所述下层金属布线层（9）通过所述导电介质（7）电性连接。
2.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述凹槽（4）的数量为一个，且所述凹槽（4）内设置有至少两个所述功能芯片（5）。
3.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述凹槽（4）的数量为至少两个，且每个所述凹槽（4）内设置有至少一个所述功能芯片（5）。
4.根据权利要求3所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，每个所述凹槽（4）内设置有至少两个功能芯片（5）。
5.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述凹槽（4）与所述功能芯片（5）之间包括导电粘结层（11）。
6.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述硅基板（1）的第一表面（2）以及所述硅基板（1）的第二表面（3）具有绝缘介质层（12），所述绝缘介质层（12）的材料为绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述凹槽（4）实现为直槽以及斜槽中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述凹槽（4）的高度与所述功能芯片（5）的厚度对应，当所述功能芯片（5）位于所述凹槽（4）内部时，所述功能芯片（5）的上表面与所述硅基板（1）的表面平齐。
9.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，硅基板（1）尺寸为晶圆级或板级。
10.根据权利要求1所述的系统级双面硅基扇出封装结构，其特征在于，所述凹槽（4）内还包括填充层（13），所述填充层（13）的材料为有机材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微高科电子有限公司，未经无锡中微高科电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222227679.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合纤维缠绕辊
- 下一篇：一种具有宽度调节结构的梳棉机输送帘
