[实用新型]一种等离子体源以及半导体反应设备有效
| 申请号： | 202222221273.1 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN217933709U | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张受业 | 申请（专利权）人： | 盛吉盛半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市竞天公诚律师事务所 11770 | 代理人： | 孙磊;徐民 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种等离子体源以及半导体反应设备，该等离子体源包括反应腔、上电极板、下电极板以及射频电源，上电极板以及下电极板设置在反应腔的内部，上电极板以及下电极板互相平行，射频电源用于对上电极板以及下电极板施加功率，上电极板开设有多个通孔，包括第一通孔部分和第二通孔部分，在上电极板中，第二通孔部分相对于第一通孔部分靠近下电极板，第一通孔部分与第二通孔部分连通，第一通孔部分的直径小于第二通孔部分的直径，第一通孔部分的长度小于第二通孔部分的长度。本实用新型能够提高等离子体源的电离效率和等离子体的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 以及 半导体 反应 设备 | ||
【主权项】：
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