[实用新型]一种等离子体源以及半导体反应设备

权利要求书

1.一种等离子体源，其特征在于，包括反应腔、上电极板、下电极板以及射频电源，所述上电极板以及所述下电极板设置在所述反应腔的内部，且所述上电极板以及所述下电极板互相平行，所述射频电源用于对所述上电极板以及所述下电极板施加功率，所述上电极板开设有多个通孔，所述通孔包括第一通孔部分和第二通孔部分，在所述上电极板中，所述第二通孔部分相对于所述第一通孔部分靠近所述下电极板，所述第一通孔部分与所述第二通孔部分连通，所述第一通孔部分的直径小于所述第二通孔部分的直径，所述第一通孔部分的长度小于所述第二通孔部分的长度。

2.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述第一通孔部分的长度与所述第二通孔部分的长度之和等于所述上电极板的上表面与下表面之间的距离。

3.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述第一通孔部分的长度为1-5mm，所述第二通孔部分的长度为5-25mm。

4.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述第一通孔部分的直径为0.1-1mm，所述第二通孔部分的直径为0.5-5mm。

5.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述通孔在所述上电极板中呈六边形蜂窝状布置。

6.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述上电极板的表面及所述通孔的内壁表面设置有氧化层。

7.根据权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述射频电源为连续电源或脉冲电源，所述射频电源的本体频率为2-100MHz。

8.根据权利要求6所述的等离子体源，其特征在于，所述氧化层的厚度大于等于10μm。

9.根据权利要求7所述的等离子体源，其特征在于，所述射频电源为脉冲电源时，脉冲频率为1-10kHz，占空比为5-95％。

10.一种半导体反应设备，其特征在于，包括根据权利要求1至9中任一项所述的等离子体源。