[实用新型]一种牢固稳定型IGBT器件有效
| 申请号： | 202221998368.8 | 申请日： | 2022-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN218769486U | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 胡彬 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/32;H01L23/00;H01L23/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡风创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32461 | 代理人： | 徐杰成 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及IGBT器件技术领域，公开了一种牢固稳定型IGBT器件，包括MOSFET器件，包括底壳、树脂外壳、IGBT芯片和续流二极管芯片，底壳底面固定有导热胶垫，导热胶垫的上端固定有基板，基板的上端电性安装有若干个IGBT芯片和续流二极管芯片，底壳的上端固定有树脂外壳，树脂外壳的上端面进行阵列分布有若干个绝缘基座，且绝缘基座内安装有母排端子，树脂外壳的上端四个角落均设置有固定座，固定座内部均开设有圆孔，圆孔内部设置有固定组件。本实用新型在使用过程中更加牢固稳定，且操作简单、使用灵活；同时母排端子不易被外力损坏，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 牢固 稳定 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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