[实用新型]一种半导体器件栅偏测试装置有效
| 申请号： | 202221433436.6 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN217639376U | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李尧圣;陈艳芳;李金元;陈中圆;李翠;杨晓亮 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘贺秋 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件栅偏测试装置，半导体器件栅偏测试装置包括：加热装置，用于放置待进行半导体器件栅偏测试的半导体器件以及用于为半导体器件提供预设温度的环境；正栅压施加电路，用于为半导体器件施加正向电压；负栅压施加电路，用于为半导体器件施加负向电压；电流检测装置，用于测量在半导体器件栅偏测试的过程中半导体器件的栅极泄漏电流；测试控制端，与正栅压施加电路、负栅压施加电路和电流检测装置分别连接，并用于控制正栅压施加电路和负栅压施加电路交替工作，以及获取栅极泄漏电流。本实用新型在半导体器件栅偏测试的过程中实时监控并实时记录半导体器件的栅极泄漏电流，半导体器件栅偏测试装置的测试可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 测试 装置 | ||
【主权项】：
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