[实用新型]一种半导体器件栅偏测试装置

权利要求书

1.一种半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，包括：

加热装置，用于放置待进行半导体器件栅偏测试的半导体器件以及用于为所述半导体器件提供预设温度的环境；

正栅压施加电路，用于为所述半导体器件施加正向电压；

负栅压施加电路，用于为所述半导体器件施加负向电压；

电流检测装置，用于测量在半导体器件栅偏测试的过程中所述半导体器件的栅极泄漏电流；

测试控制端，与所述正栅压施加电路、所述负栅压施加电路和所述电流检测装置分别连接，并用于控制所述正栅压施加电路和所述负栅压施加电路交替工作，以及获取所述栅极泄漏电流。

2.根据权利要求1所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，

所述正栅压施加电路与所述负栅压施加电路并联连接；

所述正栅压施加电路包括串联连接的第一可调电压源、第一可调电阻以及第一开关，所述第一开关具有第一控制端；

所述第一可调电压源用于为所述半导体器件施加正向电压；

所述第一可调电阻用于调节施加在所述半导体器件上的正向电压在施加过程中正向电压变化率的大小；

所述负栅压施加电路包括串联连接的第二可调电压源、第二可调电阻以及第二开关，所述第二开关具有第二控制端；

所述第二可调电压源用于为所述半导体器件施加负向电压；

所述第二可调电阻用于调节施加在所述半导体器件上的负向电压在施加过程中负向电压变化率的大小；

所述测试控制端与所述第一控制端、所述第二控制端分别连接，所述测试控制端用于在半导体器件栅偏测试的过程中按照切换周期控制所述负栅压施加电路和所述正栅压施加电路交替工作。

3.根据权利要求2所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，

所述正栅压施加电路与所述负栅压施加电路并联连接形成施压电路；

所述测试装置还包括保护开关，所述保护开关与所述施压电路、电流检测装置以及所述半导体器件串联连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，

所述保护开关具有第三控制端，所述第三控制端与所述测试控制端连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，还包括：与所述半导体器件串联连接的切换开关，所述切换开关具有第四控制端，所述第四控制端与所述测试控制端连接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，

所述测试控制端用于通过控制所述第四控制端使所述切换开关实现所述半导体器件的第一端与所述正栅压施加电路的正极连接、所述半导体器件的第二端与所述正栅压施加电路的负极连接以及所述半导体器件的第三端与所述半导体器件的第二端连接使在半导体器件栅偏测试的过程中对所述半导体器件施加正向电压；

所述测试控制端还用于通过控制所述第四控制端使所述切换开关实现所述半导体器件的第一端与所述负栅压施加电路的负极连接、所述半导体器件的第二端与所述负栅压施加电路的正极连接以及所述半导体器件的第三端与所述半导体器件的第二端连接使在半导体器件栅偏测试的过程中对所述半导体器件施加负向电压。

7.根据权利要求5所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，

所述测试控制端还用于通过控制所述第四控制端使所述切换开关实现所述半导体器件的第一端与所述正栅压施加电路的正极连接、所述半导体器件的第二端与所述正栅压施加电路的负极连接以及所述半导体器件的第三端与所述半导体器件的第二端连接使在对所述半导体器件栅偏测试过程中对所述半导体器件的阈值电压的测量。

8.根据权利要求6或7所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，

所述半导体器件为绝缘栅双极型晶体管，所述半导体器件的第一端为绝缘栅双极型晶体管的栅极，所述半导体器件的第二端为绝缘栅双极型晶体管的发射极，所述半导体器件的第三端为绝缘栅双极型晶体管的集电极。

9.根据权利要求6或7所述的半导体器件栅偏测试装置，其特征在于，

所述半导体器件为金属－氧化物半导体场效应晶体管，所述半导体器件的第一端为金属－氧化物半导体场效应晶体管的栅极，所述半导体器件的第二端为金属－氧化物半导体场效应晶体管的源极，所述半导体器件的第三端为金属－氧化物半导体场效应晶体管的漏极。