[实用新型]CVD十字托架工装有效
| 申请号: | 202221234926.3 | 申请日: | 2022-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN217324292U | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 朱建中;鞠德胜;万荣群 | 申请(专利权)人: | 无锡海飞凌半导体材料有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 李珂 |
| 地址: | 214200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种CVD十字托架工装,包括十字形支撑架,所述支撑架的底部设有一凸出部,用于卡接在沉积炉内的支撑环上,所述支撑架的顶部设有沿中心向四个支部的外端延伸的轨道,每个所述支部的所述轨道上均设有可沿所述轨道移动的支撑组件,通过调整各所述支撑组件之间的距离可使所述支撑组件共同支撑不同尺寸的工件。本实用新型的CVD十字托架工装整体采用了十字形结构,并且在十字形托架四个支部上均设有可移动的支撑组件,通过灵活调整各支撑组件之间的距离,从而实现支撑不同内径尺寸的工件。 | ||
| 搜索关键词: | cvd 十字 托架 工装 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





