[实用新型]一种PVT生长法中利于稳定热场的装置及石墨坩埚有效
| 申请号： | 202221094417.5 | 申请日： | 2022-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN217628725U | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 徐所成;皮孝东;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 盛影影 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种PVT生长法中利于稳定热场的装置及石墨坩埚，包括环状的收集腔体与收集通道，所述收集通道与所述收集腔体连通，所述收集通道与石墨坩埚的紧配处缝隙相配，用于收集石墨坩埚内逃逸的气体。本实用新型在石墨坩埚顶部增加一个收集气氛的石墨装置，本实用新型装置的设计既不影响籽晶附近的温场，又利于收集逃逸出来的碳化硅气氛，由于越往上温度越低，所以逃逸的气氛就会顺着收集通道扩散到与收集通道连通的收集腔体中沉积；结构简单，不会对PVT法生产碳化硅晶体产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 利于 稳定 装置 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
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