[实用新型]一种PVT生长法中利于稳定热场的装置及石墨坩埚有效
| 申请号： | 202221094417.5 | 申请日： | 2022-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN217628725U | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 徐所成;皮孝东;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 盛影影 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 利于 稳定 装置 石墨 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种PVT生长法中利于稳定热场的装置，其特征在于，包括环状的收集腔体与收集通道，所述收集通道与所述收集腔体连通，所述收集通道与石墨坩埚的紧配处缝隙相配，用于收集石墨坩埚内逃逸的气体。
2.根据权利要求1所述的一种PVT生长法中利于稳定热场的装置，其特征在于，所述收集通道具有多个弯折处。
3.根据权利要求2所述的一种PVT生长法中利于稳定热场的装置，其特征在于，所述收集通道具有2个弯折处，所述弯折处的角度为直角。
4.根据权利要求1所述的一种PVT生长法中利于稳定热场的装置，其特征在于，所述收集腔体的横截面积与石墨坩埚的横截面积相同。
5.根据权利要求1所述的一种PVT生长法中利于稳定热场的装置，其特征在于，所述收集腔体的厚度≤5mm。
6.根据权利要求1所述的一种PVT生长法中利于稳定热场的装置，其特征在于，所述收集通道的高度≥100mm。
7.根据权利要求1所述的一种PVT生长法中利于稳定热场的装置，其特征在于，所述收集腔体的中心轴线处设有测温孔。
8.一种石墨坩埚，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的利于稳定热场的装置，坩埚本体与坩埚盖，所述装置安装于所述坩埚盖与所述坩埚本体的紧配处缝隙上。
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