[实用新型]一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置

摘要

本实用新型涉及晶片生产附属装置的技术领域，具体是一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置。本实用新型包括主体框架，所述主体框架外壁设置有侧支架。该一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置第二框架通过气缸伸缩端的延伸，使第二框架下表面与陶瓷盘上表面相贴合，第二框架将陶瓷盘上的碳化硅晶片罩住，喷头向第二框架内注入去蜡液，当去蜡液覆盖碳化硅晶片，通过气缸伸缩端的收缩，第二框架脱离陶瓷盘上表面，去蜡后的碳化硅晶片可脱离陶瓷盘，将去蜡后的碳化硅晶片放置在第二平台上静置风干，可消除碳化硅晶片上附着的去蜡液，第二框架通过气缸伸缩端的工作，可快速对碳化硅晶片进行去蜡工作，降低了去蜡设备的成本，提高了碳化硅晶片去蜡的效率。