[实用新型]一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置

说明书

本实用新型涉及晶片生产附属装置的技术领域，具体是一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置。本实用新型包括主体框架，所述主体框架外壁设置有侧支架。该一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置第二框架通过气缸伸缩端的延伸，使第二框架下表面与陶瓷盘上表面相贴合，第二框架将陶瓷盘上的碳化硅晶片罩住，喷头向第二框架内注入去蜡液，当去蜡液覆盖碳化硅晶片，通过气缸伸缩端的收缩，第二框架脱离陶瓷盘上表面，去蜡后的碳化硅晶片可脱离陶瓷盘，将去蜡后的碳化硅晶片放置在第二平台上静置风干，可消除碳化硅晶片上附着的去蜡液，第二框架通过气缸伸缩端的工作，可快速对碳化硅晶片进行去蜡工作，降低了去蜡设备的成本，提高了碳化硅晶片去蜡的效率。

技术领域

本实用新型涉及晶片生产附属装置的技术领域，具体是一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置。

背景技术

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件，该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势，国内独家碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。

现有的下蜡装置使用中发现，设备成本较高，使用便捷性较差，针对上述情况，我们推出了一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置，以解决上述背景技术中提出现有的下蜡装置使用中发现，设备成本较高，不便于判断去蜡液是否完全脱离盛放箱，使用便捷性较差的问题。

本实用新型的技术方案是：

包括主体框架，所述主体框架外壁设置有侧支架，且侧支架外壁设置有第一平台，所述侧支架外壁设置有第二平台，且第二平台设置在第一平台的右方，所述第一平台上表面设置有陶瓷盘，所述主体框架上端设置有上支架，且上支架下表面固定连接有气缸，所述气缸的伸缩端固定连接有连接杆，且连接杆另一端设置有第二框架，所述第二框架外壁连通有水管，且水管另一端连通有喷头，所述气缸、连接杆和陶瓷盘的竖直中心线与第二平台的竖直中心线相重合。

进一步的，所述主体框架外壁设置有两个第一框架，且第一框架内设置有丝杆滑台，所述两个丝杆滑台相对侧移动端外壁固定连接有推板，且推板下表面设置有橡胶层。

进一步的，所述第二平台上表面粘接有柔软吸液层。

进一步的，所述陶瓷盘上表面设置有两个限位板，且陶瓷盘外壁设置有两个倾斜台。

进一步的，所述主体框架内部放置有收集盒，且收集盒设置有两个，所述收集盒放置在陶瓷盘下方。

进一步的，所述第二平台右方设置有传送带，且传送带上表面、第二平台上表面和陶瓷盘上表面处与同一水平。

本实用新型通过改进在此提供一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置，与现有技术相比，具有如下改进及优点：

其一：本实用新型，第二框架通过气缸伸缩端的延伸，使第二框架下表面与陶瓷盘上表面相贴合，第二框架将陶瓷盘上的碳化硅晶片罩住，喷头向第二框架内注入去蜡液，当去蜡液覆盖碳化硅晶片，通过气缸伸缩端的收缩，第二框架脱离陶瓷盘上表面，去蜡后的碳化硅晶片可脱离陶瓷盘，将去蜡后的碳化硅晶片放置在第二平台上静置风干，可消除碳化硅晶片上附着的去蜡液，第二框架通过气缸伸缩端的工作，可快速对碳化硅晶片进行去蜡工作，降低了去蜡设备的成本，提高了碳化硅晶片去蜡的效率。

其二：本实用新型，最后推板通过丝杆滑台移动端的移动，可将碳化硅晶片从陶瓷盘上表面移动到第二平台上表面，继续移动到传送带上表面，使碳化硅晶片去蜡液工作无需人工搬运，减少人工成本。

附图说明