[实用新型]一种氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 202220959169.X | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN217239488U | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;高虹;程龙;曾家明;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种氮化镓基发光二极管，涉及半导体光电技术领域，包括硅衬底，该氮化镓基发光二极管还包括：依次层叠于硅衬底之上的缓冲层、N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层及接触层；其中，缓冲层依次包括Al层、BN层及AlN层，Al层设于硅衬底之上，AlN层包括第一AlN层以及设于第一AlN层之上的第二AlN层，该缓冲层降低了硅衬底与N型半导体层之间的晶格失配，以使N型半导体层的应力释放，减少了位错的产生，提高N型半导体层的晶体质量，本实用新型能够解决现有技术中普遍存在硅衬底与氮化镓基外延层之间存在较大的晶格失配，造成氮化镓基外延层产生较大应力，导致位错的产生的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
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