[实用新型]一种氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 202220959169.X | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN217239488U | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;高虹;程龙;曾家明;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管，包括硅衬底，其特征在于，所述氮化镓基发光二极管还包括：
依次层叠于所述硅衬底之上的缓冲层、N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层及接触层；
其中，所述缓冲层依次包括Al层、BN层及AlN层，所述Al层设于所述硅衬底之上，所述AlN层包括第一AlN层以及设于所述第一AlN层之上的第二AlN层，所述第一AlN层设于所述BN层之上。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述BN层的厚度为5-20nm。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述第一AlN层为低温生长的AlN薄膜层，其厚度为10-20nm。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述第二AlN层为高温生长的AlN薄膜层，其厚度为40-60nm。
5.根据权利要求3-4任一项所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述Al层的厚度为0.5-1.5nm。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述N型半导体层为N型掺杂GaN薄膜层，其厚度为2-3μm。
7.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述发光层为多量子阱结构，包括若干个周期的InGaN阱层和AlGaN垒层，其中，InGaN阱层的厚度为3-3.5nm，AlGaN垒层的厚度为9-12nm。
8.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层为AlInGaN薄膜层，其厚度为30-50nm。
9.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述P型半导体层为P型掺杂GaN薄膜层，其厚度15-30nm。
10.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述接触层为P型掺杂GaN薄膜层，其厚度为1-6nm。
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