[实用新型]光注入层压设备有效
申请号: | 202220896962.X | 申请日: | 2022-04-18 |
公开(公告)号: | CN218241868U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 段军;彭福国;曲铭浩 | 申请(专利权)人: | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/072 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 710000 陕西省西安市国家民用*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种光注入层压设备,属于太阳能电池组件设备技术领域。包括第一腔室和第二腔室,第一腔室和第二腔室相对设置,使第一腔室和第二腔室合围形成层压腔,层压腔用于容纳预层压的电池组件;第一腔室和第二腔室中的至少一个设置有光注入装置,光注入装置用于向电池组件发射光线,以实现对电池组件的光注入。本申请的实施例通过在对电池组件层压的之前,开始对电池组件进行光注入,具有显著提升电池组件功率的有益效果。 | ||
搜索关键词: | 注入 层压 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的