[实用新型]光注入层压设备有效
| 申请号: | 202220896962.X | 申请日: | 2022-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN218241868U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
| 发明(设计)人: | 段军;彭福国;曲铭浩 | 申请(专利权)人: | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/072 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
| 地址: | 710000 陕西省西安市国家民用*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 注入 层压 设备 | ||
1.一种光注入层压设备,其特征在于,包括第一腔室和第二腔室,所述第一腔室和所述第二腔室相对设置,使所述第一腔室和第二腔室合围形成层压腔,所述层压腔用于容纳预层压的电池组件;
所述第一腔室和所述第二腔室中的至少一者设置有光注入装置,所述光注入装置用于向所述层压腔内发射光线。
2.根据权利要求1所述的光注入层压设备,其特征在于,所述第一腔室设置有第一光注入装置,所述第一光注入装置包括第一光源组件和第一透光工作台,所述第一光源组件和所述第一透光工作台连接,所述第一透光工作台设置于靠近所述第二腔室的一侧;
所述第一光源组件发射的光穿过所述第一透光工作台照射到所述层压腔内。
3.根据权利要求1所述的光注入层压设备,其特征在于,所述第二腔室设置有第二光注入装置,所述第二光注入装置包括第二光源组件和第二透光工作台,所述第二光源组件和所述第二透光工作台连接,所述第二透光工作台设置于靠近所述第一腔室的一侧;
所述第二光源组件发射的光穿过所述第二透光工作台照射到所述层压腔内;
其中,所述第二光源组件还用于对所述层压腔内加热。
4.根据权利要求2所述的光注入层压设备,其特征在于,所述第一光源组件包括阵列排布的多个第一灯管,多个所述第一灯管距离所述第一光注入装置靠近所述第二腔室的表面距离为100mm~200mm。
5.根据权利要求4所述的光注入层压设备,其特征在于,多个所述第一灯管的光谱范围为300nm~760nm,单个所述第一灯管的功率为50w-1000w。
6.根据权利要求3所述的光注入层压设备,其特征在于,所述第二光源组件包括阵列排布的多个第二灯管,多个所述第二灯管的光谱范围大于等于750nm,单个所述第二灯管的功率为1kw-1.5kw。
7.根据权利要求6所述的光注入层压设备,其特征在于,多个所述第二灯管之间的间距为10mm-30mm。
8.根据权利要求6所述的光注入层压设备,其特征在于,多个所述第二灯管是加热灯管,多个所述第二灯管用于对所述层压腔内进行加热。
9.根据权利要求8所述的光注入层压设备,其特征在于,所述光注入装置靠近所述层压腔的一侧上设置有可伸缩的支撑结构,所述支撑结构可控的伸出或缩回所述第一腔室或所述第二腔室的内壁。
10.根据权利要求9所述的光注入层压设备,其特征在于,所述支撑结构包括可伸缩的多个伸出件,多个所述伸出件设置于多个所述第二灯管的间隙处,多个所述伸出件可控的伸出或缩回所述第一腔室或所述第二腔室的内壁,所述电池组件处于所述伸出件上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





