[实用新型]一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件有效
| 申请号： | 202220519525.6 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN216849948U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市闵行区东川*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，包括元胞区及栅电极区，元胞区包括设置于芯片本体表面的场氧层，场氧层的表面开设有多个容纳槽，芯片本体的上方设有位于场氧层表面及容纳槽内壁的多晶硅栅，容纳槽内还设有位于多晶硅栅上方的阻止层。本实用新型的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，因为阻止层的存在，当发生多晶硅刻蚀孔缺陷时，开孔处的多晶硅与阻止层将同时保留下来，其能够阻止后续的发射极接触孔刻蚀深入到多晶硅上，这样就避免了可能的栅源短路，同时，加工时以多晶硅栅为停止层进行CMP工艺，保证多位于场氧层上的多晶硅表面没有阻止层，以便与器件的栅极相连，不会造成栅极开路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 防止 工艺 缺陷 造成 漏电 半导体器件 | ||
【主权项】：
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