[实用新型]一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件有效
| 申请号： | 202220519525.6 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN216849948U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市闵行区东川*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能够 防止 工艺 缺陷 造成 漏电 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，包括元胞区及栅电极区，元胞区包括设置于芯片本体(1)表面的场氧层(2)，其特征在于：所述场氧层的表面开设有多个容纳槽(3)，芯片本体的上方设有位于场氧层表面及容纳槽内壁的多晶硅栅(4)，所述容纳槽内还设有位于多晶硅栅上方的阻止层(5)。
2.根据权利要求1所述的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，其特征在于：所述阻止层的中部设有从阻止层表面延伸至芯片本体表面的穿孔(6)，多晶硅栅、阻止层的表面及穿孔的内壁上均设有绝缘介质层(7)，穿孔内设有从绝缘绝缘介质层表面延伸至芯片本体内发射区的接触孔(8)，绝缘介质层的上方设有与发射区(10)连接的发射极金属(9)。
3.根据权利要求1所述的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，其特征在于：所述阻止层由二氧化硅制成。
4.根据权利要求1所述的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，其特征在于：所述阻止层由氮化硅制成。
5.根据权利要求1所述的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，其特征在于：所述容纳槽为截面为矩形或圆形的槽。
6.根据权利要求1所述的能够防止工艺缺陷造成漏电的半导体器件，其特征在于：阻止层通过CMP工艺使其表面与场氧层上的多晶硅保持齐平。
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