[实用新型]集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 202220117251.8 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN217847964U | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 于霄恬 | 申请（专利权）人： | 海科（嘉兴）电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，用以解决现有的结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的技术问题。器件包括：外延层与在外延层的第一侧表面分布的复合元胞；复合元胞包括：阱区、源极区域、第一高掺杂P型区域及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包含肖特基区域以及第二高掺杂P型区域；阱区环绕区域形成结型场效应管JFET区域；阱区与外延层间形成第一PN结，与源极区域间形成第二PN结，第二高掺杂P型区域与外延层间形成第三PN结；JFET区域与肖特基区域的宽度的取值范围均在相同的预设区间。本申请通过上述器件解决了结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 结势垒肖特基 二极管 平面 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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