[实用新型]集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件

权利要求书

1.集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括：外延层，以及在所述外延层的第一侧表面分布的复合元胞；其中，所述外延层为N型区域；

所述复合元胞包括：阱区、源极区域、第一高掺杂P型区域及结势垒肖特基区域；其中：所述阱区为P型区域，所述源极区域与所述肖特基区域为N型区域；

所述第一高掺杂P型区域环绕所述结势垒肖特基区域；所述第一高掺杂P型区域与所述结势垒肖特基区域为同心正多边形或同心圆环结构；所述结势垒肖特基区域包含预设数量个第二高掺杂P型区域，以及在高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；

在所述阱区环绕的区域形成结型场效应管JFET区域；

所述阱区与所述外延层间形成第一PN结，所述阱区与所述源极区域间形成第二PN结，所述预设数量个第二高掺杂P型区域与所述外延层间形成第三PN结；

所述JFET区域的宽度的取值范围与所述肖特基区域的宽度的取值范围均在相同的预设区间。

2.根据权利要求1所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，

所述阱区与所述第二高掺杂P型区域接触；

所述阱区与其环绕的所述结型场效应管JFET区域为同心圆环结构或同心正多边形结构。

3.根据权利要求1所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，所述器件还包括：欧姆接触金属；

所述欧姆接触金属覆盖于所述第一高掺杂P型区域及部分源极区域表面；

所述欧姆接触金属与所述第一高掺杂P型区域间形成第一欧姆接触；

所述欧姆接触金属与所述源极区域间形成第二欧姆接触；

所述第一欧姆接触与所述第二欧姆接触相互连接，以抑制MOSFET器件内部的寄生双极晶体管效应。

4.根据权利要求3所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，所述器件还包括：肖特基接触金属；

所述肖特基接触金属覆盖于所述结势垒肖特基区域的表面；

所述肖特基接触金属与肖特基区域间形成肖特基接触。

5.根据权利要求1所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，所述器件还包括：绝缘栅极氧化层与栅极导电多晶硅；

所述绝缘栅极氧化层覆盖于所述JFET区域与所述阱区上，所述绝缘栅极氧化层的边界位于所述源极区域上；

所述栅极导电多晶硅覆盖于所述绝缘栅极氧化层上，所述栅极导电多晶硅的宽度小于或等于所述绝缘栅极氧化层的宽度。

6.根据权利要求5所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，所述器件还包括：绝缘介质层；

所述绝缘介质层覆盖于所述绝缘栅极氧化层与所述栅极导电多晶硅上。

7.根据权利要求6所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，所述器件还包括：源极电极；

所述源极电极与欧姆接触金属及肖特基接触金属接触；

所述绝缘介质层将所述栅极导电多晶硅与所述源极电极分隔开。

8.根据权利要求1所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，其特征在于，所述器件还包括：碳化硅衬底、漏极电极；

所述碳化硅衬底的第一侧表面与所述外延层的第二侧表面接触；其中，所述碳化硅衬底为N型区域；

所述漏极电极覆盖于所述碳化硅衬底的第二侧表面。

9.根据权利要求1所述的集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET 器件，其特征在于，所述预设区间为0.8um～5um，所述预设数量的范围为1～10个。