[发明专利]一种SPAD器件及其制作方法在审
申请号: | 202211725576.5 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN116072762A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 徐涛;李爽;吕京颖;康杨森 | 申请(专利权)人: | 深圳市灵明光子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/107;H01L31/0216 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 戴皓 |
地址: | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及半导体制作领域,公开了一种SPAD器件及其制作方法,包括:对衬底进行N型掺杂,进行P型掺杂,得到PN结;在接收入射光的衬底表面沉积钝化层;在钝化层的表面沉积透光材料层;在透光材料层的表面形成纵截面为矩形的光刻胶层;对纵截面为矩形的光刻胶层进行回流,使纵截面为矩形的光刻胶层中的光刻胶块融化形成纵截面为凸起曲面的光刻胶层;以凸起曲面的光刻胶层作为掩膜,刻蚀透光材料层,形成微透镜,得到SPAD器件。本申请在衬底接收入射光表面上的透光材料层上通过回流形成纵截面为凸起曲面的光刻胶层,刻蚀时直接将透光材料层刻蚀成微透镜,工艺步骤简单。SPAD芯片和微透镜可以在同一个厂家做完,缩短时间、降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 spad 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的