[发明专利]一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法在审

专利信息
申请号: 202211706763.9 申请日: 2022-12-29
公开(公告)号: CN115947344A 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 梁正;孟国均;李建设;吕永峰;郭蕊;蒋星光;钱光凝;盖艳喆;仪得志;陈源茂;刘纪江 申请(专利权)人: 河南硅烷科技发展股份有限公司
主分类号: C01B33/027 分类号: C01B33/027
代理公司: 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 代理人: 郭璐
地址: 461700 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法。硅烷热解的分解炉由钟罩、硅棒、冷却夹套、石墨电极、进出口构成,本发明提供了制备多晶硅棒的最佳热通量、压力、进口流量、硅烷比率、冷却夹套的温度和硅烷原料的预热温度,以保证硅棒在炉内的均匀生长、硅烷原料得到有效利用,有效抑制硅烷均相反应,减少硅粉的产生。
搜索关键词: 一种 均匀 生长 区熔级 多晶 方法
【主权项】:
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