[发明专利]一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法在审
申请号: | 202211706763.9 | 申请日: | 2022-12-29 |
公开(公告)号: | CN115947344A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 梁正;孟国均;李建设;吕永峰;郭蕊;蒋星光;钱光凝;盖艳喆;仪得志;陈源茂;刘纪江 | 申请(专利权)人: | 河南硅烷科技发展股份有限公司 |
主分类号: | C01B33/027 | 分类号: | C01B33/027 |
代理公司: | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人: | 郭璐 |
地址: | 461700 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法。硅烷热解的分解炉由钟罩、硅棒、冷却夹套、石墨电极、进出口构成,本发明提供了制备多晶硅棒的最佳热通量、压力、进口流量、硅烷比率、冷却夹套的温度和硅烷原料的预热温度,以保证硅棒在炉内的均匀生长、硅烷原料得到有效利用,有效抑制硅烷均相反应,减少硅粉的产生。 | ||
搜索关键词: | 一种 均匀 生长 区熔级 多晶 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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