[发明专利]一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法在审
| 申请号： | 202211706763.9 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN115947344A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 梁正;孟国均;李建设;吕永峰;郭蕊;蒋星光;钱光凝;盖艳喆;仪得志;陈源茂;刘纪江 | 申请（专利权）人： | 河南硅烷科技发展股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027 |
| 代理公司： | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人： | 郭璐 |
| 地址： | 461700 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 生长 区熔级 多晶 方法 | ||
1.一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将原料气体进行预热，预热温度为400-500K；
S2：将反应炉内的温度调至350-450K；
S3：将反应炉内的气压调至0.3-0.6MPa；
S4：原料气体以0.2-0.6m/s的速度进入反应炉；
S5：将反应炉中的石墨电极(5)接通高压电，使得原料气体发生反应，在硅棒(3)表面沉积形成区熔级硅棒；
S6：将反应后的尾气从反应炉中排出。
2.根据权利要求1所述的一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法，其特征在于：所述原料气体为硅烷和氢气的混合气体，硅烷的体积分率为0.3-0.6。
3.根据权利要求1所述的一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法，其特征在于：所述硅棒(3)表面的热通量为40-60W/m2。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法得到区熔级多晶硅棒。
5.一种用于制备权利要求4所述的区熔级多晶硅棒的反应炉，其特征在于：所述反应炉包括钟罩(1)、入口(4)、出口(6)、底座(7)和反应结构，所述钟罩(1)设于底座(7)上，底座(7)上设有出口(6)和入口(4)，入口(4)上设有反应结构。
6.根据权利要求5所述的反应炉，其特征在于：所述反应结构包括硅棒(3)、冷却夹套(2)和石墨电极(5)，所述石墨电极(5)上设有硅棒(3)，硅棒(3)上套设有冷却夹套(2)。
7.根据权利要求6所述的反应炉，其特征在于：所述冷却夹套(2)的直径为50-400mm，所述入口(4)直径与冷却夹套(2)直径比为1:3～1。
8.根据权利要求7所述的反应炉，其特征在于：所述出口(6)均匀分布于底座(7)边缘。
9.根据权利要求8所述的反应炉，其特征在于：所述出口(6)均匀分布于底座(7)中心。
10.根据权利要求9所述的反应炉，其特征在于：所述出口(6)集中分布于底座(7)中心。
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