[发明专利]一种二维硅/锗复合材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211685119.8 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN115893421A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 高培波;宋伟红;李佳祥;赵明远;周晋 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;H01M4/38;H01M4/36;H01M10/0525;B22F9/24 |
| 代理公司： | 北京华清迪源知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 朱芳 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种二维硅/锗复合材料及其制备方法和应用。一种二维硅/锗复合材料的制备方法包括：将层状二氧化硅原材料进行高温煅烧，得到膨胀的层状二氧化硅；将膨胀的层状二氧化硅与锗化镁、氯化盐体系混合，在惰性氛围下进行加热，得到反应产物；将反应产物进行酸洗、分离、干燥，获得二维硅/锗复合材料。本发明提供的复合材料具有独特的二维结构，不仅可以有效缓冲充放电过程中的体积膨胀，易于形成高堆积密度的电极，而且内部为“同构异质”的硅/锗二元活性材料，可以协同发挥二者优势，有效提高锂离子电池的容量、倍率性能和循环稳定性。另外，本发明制备工艺简单，可实现批量规模化生产，且反应温度低，过程无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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