[发明专利]一种二维硅/锗复合材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211685119.8 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN115893421A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 高培波;宋伟红;李佳祥;赵明远;周晋 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;H01M4/38;H01M4/36;H01M10/0525;B22F9/24 |
| 代理公司： | 北京华清迪源知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 朱芳 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
将层状二氧化硅原材料进行高温煅烧，得到膨胀的层状二氧化硅；
将膨胀的层状二氧化硅与锗化镁、氯化盐体系混合，在惰性氛围下进行加热，得到反应产物；
将反应产物进行酸洗、分离、干燥，获得二维硅/锗复合材料。
2.根据权利要求1所述的二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，所述层状二氧化硅源材料为蛭石、云母、绿泥石、滑石、叶蜡石、高岭土、蒙脱土、膨润土中的任一种。
3.根据权利要求1所述的二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，所述高温煅烧的温度为500-900℃，时间为1-6h。
4.根据权利要求1所述的二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，所述氯化盐体系为AlCl3/ZnCl2或AlCl3/NaCl，其中AlCl3与ZnCl2，或AlCl3与NaCl的质量比为(4-20)：1。
5.根据权利要求1所述的二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，所述膨胀的层状二氧化硅与锗化镁的质量比为(0.1-2)：1。
6.根据权利要求1所述的二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，以膨胀的层状二氧化硅、锗化镁和氯化盐体系的总质量为基准，所述膨胀的层状二氧化硅与锗化镁的质量百分含量为8-30％。
7.根据权利要求1所述的二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，所述惰性氛围为氩气或氮气气氛；所述加热的温度为150-400℃，时间为6-24h。
8.根据权利要求1所述的二维硅/锗复合材料的制备方法，其特征在于，所述酸洗采用0.1～6M的盐酸或硫酸溶液。
9.一种二维硅/锗复合材料，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述的方法制成。
10.权利要求9所述的二维硅/锗复合材料在锂离子电池中的应用。
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