[发明专利]确定存储器元件的熔丝元件状态的方法在审
| 申请号： | 202211658333.4 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116403925A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 杨吴德 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/525;H10B12/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种确定存储器元件的熔丝元件状态的方法。该方法包括提供该存储器元件，该存储器元件具有一第一端子以及一第二端子；以及施加一第一电源信号在该存储器元件的该第一端子上。该存储器元件包括一可经配置的参考电阻器单元，电性耦接到该熔丝元件。该方法亦包括在该存储器元件的该第二端子处获得响应该第一电源信号的一评估信号；以及辨别该评估信号以确定该存储器元件否为冗余(redundant)。该可经配置的参考电阻器单元包括一第一电阻器；一第一晶体管，与该第一电阻器并联；以及一第一可经配置的单元，连接到该第一晶体管的一栅极。该第一可经配置的单元经配置以产一第一可经配置的信号，进而导通该第一晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 存储器 元件 状态 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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