[发明专利]确定存储器元件的熔丝元件状态的方法在审
申请号: | 202211658333.4 | 申请日: | 2022-12-22 |
公开(公告)号: | CN116403925A | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 杨吴德 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/525;H10B12/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 存储器 元件 状态 方法 | ||
1.一种确定存储器元件的熔丝元件状态的方法,包括:
提供该存储器元件,该存储器元件具有一第一端子以及一第二端子;
施加一第一电源信号在该存储器元件的该第一端子上,其中该存储器元件包括一可经配置的参考电阻器单元,电性耦接到该熔丝元件;
在该存储器元件的该第二端子处获得响应该第一电源信号的一评估信号;以及
辨别该评估信号以确定该存储器元件否为冗余;
其中该可经配置的参考电阻器单元包括:
一第一电阻器;
一第一晶体管,与该第一电阻器并联;以及
一第一可经配置的单元,连接到该第一晶体管的一栅极,其中该第一可经配置的单元经配置以产一第一可经配置的信号,进而导通该第一晶体管。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
响应该第一电源信号而在一第一节点处产生一状态信号,该第一节点位在该可经配置的参考电阻器单元与该熔丝元件之间;以及
借由电性耦接到该第一节点的一第一闩锁电路而将该状态信号转换成该评估信号。
3.如权利要求2所述的方法,其中将该状态信号转换成该评估信号包括:
比较该状态信号与一预定信号;以及
依据该状态信号与该预定信号之间的比较而输出该评估信号。
4.如权利要求1所述的方法,其中该第一可经配置的单元还包括:
一单次可编程元件,经配置以接收一第二电源信号;
一参考电阻器,与该单次可编程元件串联;以及
一第二闩锁电路,经配置以读取在一第二节点处的一第一模式信号,而该第二节点位在该单次可编程元件与该参考电阻器之间;
其中借由该第二闩锁电路而将该第一模式信号转换成该第一可经配置的信号。
5.如权利要求4所述的方法,其中该单次可编程元件包括一反熔丝。
6.如权利要求4所述的方法,其中该可经配置的参考电阻器单元的一电阻值与该单次可编程元件的一状态相关联。
7.如权利要求5所述的方法,其中该第一可经配置的单元还包括:
一第二晶体管,耦接到该单次可编程元件,并具有一栅极,该栅极经配置以接收一第一控制信号;以及
一第三晶体管,耦接在该单次可编程元件与该参考电阻器之间,并具有一栅极,该栅极经配置以接收该第一控制信号。
8.如权利要求7所述的方法,其中响应施加到该单次可编程元件的该第二电源信号,该第二晶体管与该第三晶体管经配置以导通,进而在该第二节点处产生该第一模式信号,而该第二节点位在该单次可编程元件与该参考电阻器之间。
9.如权利要求7所述的方法,其中该可经配置的单元还包括:
一第四晶体管,耦接在该单次可编程元件与该第二闩锁电路之间;
其中该第四晶体管经配置以将该第一模式信号传输到该第二闩锁电路。
10.如权利要求7所述的方法,其中该第一可经配置的单元还包括:
一第五晶体管,耦接在一第二导电接触点与该单次可编程元件之间,并具有一栅极,该栅极经配置以接收一第二控制信号,其中该第五晶体管经配置以接收来自该第二导电接触点的一第三电源信号;以及
一第六晶体管,耦接在该单次可编程元件与接地之间,并具有一栅极,该栅极经配置以接收该第二控制信号;
其中响应借由该第二控制信号而导通的该第五晶体管与该第六晶体管,对该单次可编程元件进行程序化。
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