[发明专利]电容器和包括电容器的DRAM器件在审
| 申请号： | 202211657948.5 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116367706A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 赵哲珍;辛瑜暻;郑昌和;金铉埈;林汉镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白;范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种电容器。电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 包括 dram 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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