[发明专利]电容器和包括电容器的DRAM器件

权利要求书

1.一种电容器，包括：

下电极；

介电层结构，设置在所述下电极上，所述介电层结构包括第一介电层、接触所述第一介电层的第二介电层、以及接触所述第二介电层的第三介电层；以及

上电极，设置在所述介电层结构上，

其中，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料，所述第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且其中，所述第二介电层包括具有至少两种不同晶相的材料。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第二介电层包括氧化铪层或氧化锆层。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第二介电层包括四方晶相和正交晶相的混合物。

4.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第二介电层中包括的至少两种晶相沿所述第一介电层的表面堆叠并布置。

5.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一介电层的材料和所述第三介电层的材料不同于所述第二介电层的材料，并且其中，所述第一介电层和所述第三介电层包括氧化锆层、氧化铪层或氧化钛层。

6.根据权利要求5所述的电容器，其中，所述第一介电层和所述第三介电层中的至少一个是氧化铪层或氧化锆层。

7.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一介电层和所述第三介电层各自具有至少一种晶相。

8.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述介电层结构具有至的厚度。

9.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第二介电层具有至的厚度。

10.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述介电层结构还包括至少一个插入层。

11.根据权利要求10所述的电容器，其中，所述插入层被包括在所述下电极与所述介电层结构之间的边界中、所述介电层结构与所述上电极之间的边界中、所述第一介电层的内部区域中、所述第二介电层的内部区域中、或所述第三介电层的内部区域中。

12.根据权利要求10所述的电容器，其中，所述插入层包括Al₂O₃、Y₂O₃、Nb₂O₅、Ta₂O₅、MoO₃、RuO₂、V₂O₅或La₂O₃。

13.一种电容器，包括：

下电极；

介电层结构，设置在所述下电极上，所述介电层结构包括第一介电层、第三介电层、以及与所述第一介电层和所述第三介电层相邻的第二介电层；以及

上电极，设置在所述介电层结构上，

其中，所述介电层结构在垂直于所述下电极的上表面的厚度方向上具有至的厚度，

其中，所述第二介电层包括氧化铪或氧化锆，并且所述第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的一种材料，并且

其中，所述第二介电层的厚度小于所述介电层结构的总厚度的50％。

14.根据权利要求13所述的电容器，其中，所述第二介电层包括四方晶相和正交晶相的混合物。

15.根据权利要求13所述的电容器，其中，所述第一介电层的材料和所述第三介电层的材料不同于所述第二介电层的材料，并且其中，所述第一介电层和所述第三介电层中的每一个包括氧化锆层、氧化铪层或氧化钛层。