[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202211633555.0 | 申请日: | 2022-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN115799272A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | 杨维;刘威;宁策;王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 王存霞 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板包括:衬底基板、源漏极层和缓冲层;源漏极层位于衬底基板的一侧;缓冲层位于源漏极层远离衬底基板的一侧,包括过孔,过孔至少暴露出部分源漏极层;有源层位于缓冲层远离衬底基板的一侧,且通过过孔与源漏极相连接;其中:在过孔位置处,有源层覆盖部分源漏极层,有源层在靠近暴露出的源漏极层的位置处设有倒角结构。本申请实施例可以解决源漏极下置导致的有源层不能充分导体化、有源层和源漏极接触不良的问题,减小显示装置的寄生电容、提高显示装置的分辨率和显示质量。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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