[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202211633555.0 申请日: 2022-12-19
公开(公告)号: CN115799272A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 杨维;刘威;宁策;王东方 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 王存霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底基板;

源漏极层,位于所述衬底基板的一侧;

缓冲层,位于所述源漏极层远离所述衬底基板的一侧,包括过孔,所述过孔至少暴露出部分所述源漏极层;

有源层,位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,且通过所述过孔与所述源漏极层相连接;

其中:在所述过孔位置处,所述有源层覆盖部分所述源漏极层,所述有源层在靠近暴露出的所述源漏极层的位置处设有倒角结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

所述倒角结构包括第一面和第二面,所述第一面与所述源漏极层接触,所述第二面与所述第一面形成锐角。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

所述缓冲层包括过孔,所述过孔贯穿至所述源漏极层,并暴露出部分所述源漏极层;

或者,所述缓冲层包括过孔,所述过孔贯穿至所述源漏极层和所述衬底基板,并暴露出部分所述源漏极层和部分所述衬底基板;

或是,所述缓冲层包括过孔,所述过孔贯穿至所述源漏极层和所述阵列基板包括的功能膜层,并暴露出部分所述源漏极层和部分所述功能膜层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

遮光层,设置在所述衬底基板的一侧;

栅极绝缘层,设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧;

栅极,设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧;

其中:所述遮光层在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影内,且所述遮光层与所述源漏极层同层绝缘设置;所述栅极绝缘层覆盖所述缓冲层,并填充在所述过孔内,所述栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内;或者,所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影重叠,且均位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

第一钝化层,位于所述栅极远离所述衬底基板的一侧;

其中:若所述栅极绝缘层覆盖所述缓冲层,并填充在所述过孔内,所述第一钝化层覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层;

若所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影重叠,所述第一钝化层覆盖所述栅极和所述缓冲层,并填充在所述过孔内。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

平坦层,设置在所述第一钝化层远离所述衬底基板的一侧;

第一电极,设置在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧;

第二钝化层,设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,所述第二钝化层覆盖所述第一电极和所述平坦层;

第二电极,设置在所述第二钝化层远离所述衬底基板的一侧,且通过贯穿所述第二钝化层、所述平坦层和所述第一钝化层的过孔与所述有源层连接。

7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,当所述过孔贯穿至所述源漏极层,并暴露出部分所述源漏极层时,所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影的面积为第一面积;

当所述过孔贯穿至所述源漏极层和所述衬底基板,并暴露出部分所述源漏极层和部分所述衬底基板时,所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影的面积为第二面积;

所述第一面积大于所述第二面积。

8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述锐角的范围为大于或等于30度,且小于或等于70度。

9.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。

10.一种如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:

提供衬底基板;

通过构图工艺在所述衬底基板的一侧形成源漏极层;

通过构图工艺在所述源漏极层远离所述衬底基板的一侧形成缓冲层,所述缓冲层包括过孔,所述过孔至少暴露出部分所述源漏极层;

通过构图工艺在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成有源层,在所述过孔位置处,所述有源层覆盖部分所述源漏极层,所述有源层在靠近暴露出的所述源漏极层的位置处设有倒角结构。

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