[发明专利]一种大面积硫化钯薄膜、制备工艺及应用

摘要

本发明提出一种大面积硫化钯薄膜、制备工艺及应用，应用双温区管式炉实现，双温区管式炉内设置有上游恒温区与下游恒温区，上游恒温区与下游恒温区均设置有加热装置，将装有硫粉的磁舟放置在上游恒温区，将装有金属Pd膜的基底的磁舟放在下游恒温区，制备工艺包括：利用电子束蒸镀仪制备得到金属Pd膜，将装有金属Pd膜的基底的磁舟放在双温区管式炉的下游恒温区，将装有硫粉的磁舟放置在上游恒温区；向双温区管式炉通入含氢载气，控制上游恒温区的温度高于200℃使得硫粉挥发为硫蒸汽，控制下游恒温区的温度范围为350℃～750℃以对金属Pd膜进行硫化，最终得到钯硫产物。本发明制备过程中无复杂操作，设备简单，重现性好。