[发明专利]一种缺陷态硒化铂材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202211614177.1 申请日: 2022-12-15
公开(公告)号: CN115786961A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 高峻峰;常远;赵纪军;候军刚;翟潘龙;杨丰兆 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C25B11/075 分类号: C25B11/075;C25B1/04
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王苗苗
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供了一种缺陷态硒化铂材料及其制备方法和应用,涉及催化剂制备技术领域。本发明通过硒化处理,对铂进行改性,得到PtSe2材料;通过等离子体刻蚀处理在PtSe2材料中引入缺陷结构,得到缺陷态硒化铂材料。在本发明中,硒空位一旦由等离子体刻蚀在PtSe2中引入是相当稳定的,不存在扩散,因此可以被稳定利用;每一个硒空位都能捕获电荷形成局域电荷中心,有利于提高催化作用;硒的单原子空位,双原子空位和三原子空位都有利于HER催化;同时,缺陷PtSe2具有良好的OER催化作用,因此,本发明制备的缺陷态硒化铂材料具有较好的HER催化和OER催化效果,适于电催化水裂解。
搜索关键词: 一种 缺陷 态硒化铂 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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