[发明专利]一种缺陷态硒化铂材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种缺陷态硒化铂材料的制备方法，包括以下步骤：

将铂箔片进行硒化处理，得到硒化铂材料；

将所述硒化铂材料进行等离子体刻蚀处理，得到缺陷态硒化铂材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铂箔片在进行硒化处理前，还包括预处理；所述预处理包括依次进行的酸洗、乙醇洗、水洗和干燥。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硒化处理包括：将铂箔片置于管式炉的上游，将硒粉置于管式炉的下游，进行化学气相沉积。

4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述硒化处理的温度为400～600℃；所述硒化处理的时间为1～3h。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，由室温升温至所述硒化处理的温度的升温速率为2～8℃/min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀处理在等离子体清洗机中进行。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀处理在氩气气氛中进行。

8.根据权利要求1或7所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀处理的功率为50～150W；所述等离子体刻蚀处理的时间为5～20min。

9.权利要求1～8任一项所述制备方法制备得到的缺陷态硒化铂材料。

10.权利要求9所述缺陷态硒化铂材料在电催化水裂解中的应用。