[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管制作方法在审
| 申请号： | 202211600662.3 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116169179A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 黄展宽;谷团飞;张登凯;李泰兴 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 周志伟 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管，包括：栅极；绝缘层，设置于所述栅极的一侧；以及有源层，设置于所述绝缘层远离所述栅极的一侧；其中，所述有源层包括退火层以及非晶硅层，所述退火层设置于所述绝缘层远离所述栅极的一侧，所述非晶硅层设置于所述退火层远离所述绝缘层的一侧，所述退火层为非晶硅材料通过准分子激光退火制成。本申请还提供一种薄膜晶体管阵列基板及一种薄膜晶体管制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
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