[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管制作方法在审
| 申请号： | 202211600662.3 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116169179A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 黄展宽;谷团飞;张登凯;李泰兴 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 周志伟 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
栅极；
绝缘层，设置于所述栅极的一侧；以及
有源层，设置于所述绝缘层远离所述栅极的一侧；
其中，所述有源层包括退火层以及非晶硅层，所述退火层设置于所述绝缘层远离所述栅极的一侧，所述非晶硅层设置于所述退火层远离所述绝缘层的一侧，所述退火层为非晶硅材料通过准分子激光退火制成。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述退火层的材料为微晶硅或多晶硅的其中一种。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括n+型氢化非晶硅层，所述n+型氢化非晶硅层设置于所述非晶硅层远离所述退火层的一侧。
4.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
基板；以及
如权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管，多个所述薄膜晶体管阵列排布在所述基板上。
5.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：
形成栅极，并在所述栅极的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层远离所述栅极的一侧形成退火层；
在所述退火层远离所述绝缘层的一侧形成非晶硅层；
其中，在所述绝缘层远离所述栅极的一侧形成退火层包括：设置非晶硅膜，并对所述非晶硅膜进行准分子激光退火制程。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，在所述绝缘层远离所述栅极的一侧形成退火层包括：确定所述准分子激光退火的最佳能量密度。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述确定最佳能量密度包括：在进行准分子激光退火的同时，调整所述激光的能量密度，并确认是否发生氢爆，若未发生氢爆，则所述激光的能量密度为最佳能量密度。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述确定最佳能量密度还包括：在进行准分子激光退火之后，获取所述退火层的晶粒图像，若所述晶粒的尺寸在100-180nm，则所述激光的能量密度为最佳能量密度。
9.如权利要求5所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，对所述非晶硅膜进行准分子激光退火具体为：将所述非晶硅膜转换为微晶硅或多晶硅。
10.如权利要求5所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，在所述退火层远离所述绝缘层的一侧形成非晶硅层之后，还包括：在所述非晶硅层远离所述绝缘层的一侧形成n+型氢化非晶硅层。
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