[发明专利]一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关

摘要

本发明公开了一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，包括微环波导结构、直波导结构、交叉波导结构和超材料结构，所述直波导结构包括输入区、直通区和交叉区，并位于所述微环波导结构的外侧，所述交叉波导结构位于所输入区、直通区和交叉区的交叉口，所述超材料结构由相变材料硫化锑制备，并覆盖于所述微环波导结构上方，形成发挥调制作用的复合区。本发明所利用的相变材料硫化锑，具有大带隙、高折射率对比度、室温下的强稳定性以及低可见光和近红外波段损耗的优点，有助于克服在载流子色散效应下硅材料折射率的变化范围小的问题，进而缩小了硅基调制器的尺寸，降低了硅基调制器的能耗，进一步提升硅基调制器大规模集成的可行性。