[发明专利]一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关

权利要求书

1.一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：包括微环波导结构（1）、直波导结构、交叉波导结构（4）和超材料结构（2），所述直波导结构包括输入区（3）、直通区（5）和交叉区（6），并位于所述微环波导结构（1）的外侧，所述交叉波导结构（4）位于所输入区（3）、直通区（5）和交叉区（6）的交叉口，其中所述直通区（5）与所述输入区（3）在同一条直线上，用于被调制光的直通状态输出，所述交叉区（6）与所述输入区（3）垂直，用于被调制光的交叉状态输出，所述超材料结构（2）由相变材料硫化锑制备，并覆盖于所述微环波导结构（1）上方，形成发挥调制作用的复合区。

2.如权利要求1所述的一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：所述微环波导结构（1）为硅材料构成的脊状环形波导。

3.如权利要求1所述的一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：所述直波导结构为硅材料构成的脊状直波导。

4.如权利要求1所述的一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：所述交叉波导结构（4）为硅材料构成的直波导。

5.如权利要求1所述的一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：所述输入区（3）的输出端与所述交叉波导结构（4）相连，用于待调制光的输入。

6.如权利要求1所述的一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：所述超材料结构（2）内径和外径与所述微环波导结构（1）保持一致，所述超材料结构（2）底面与所述微环波导结构（1）顶部直接接触，共同构成可重构模式折射率的复合材料区域，用于对所述直波导结构输入区（3）的输入光进行直通和交叉状态的切换。

7.如权利要求1所述的一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：所述微环结构、所述直波导结构和所述交叉波导结构（4）的高度保持一致。

8.如权利要求1所述的一种基于硅上硫化锑的1x2微环光开关，其特征在于：所述微环波导结构（1）、直波导结构和超材料结构（2）均由二氧化硅包裹，形成保护结构。