[发明专利]微同轴结构腔体释放方法及微同轴结构晶片在审
| 申请号： | 202211586625.1 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN116101971A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张拴;杨云春;郭鹏飞;陆原;王晨星;赵利芳;王维嘉 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 王春艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种微同轴结构腔体释放方法及微同轴结构晶片，涉及微电子技术领域，能够简化微同轴结构腔体的释放工艺，减少材料残留。微同轴结构腔体释放方法，包括：对待释放腔体的晶圆样品进行表面处理，以露出所述晶圆样品的顶层种子层；去除所述顶层种子层；利用曝光工艺和显影工艺去除所述晶圆样品的中间种子层与所述顶层种子层之间的第一光刻胶，并带离第一黏附层，以及通过微同轴结构侧壁的释放孔去除所述微同轴结构腔体内的第二光刻胶，其中，所述第一粘附层位于所述顶层种子层与所述第一光刻胶之间。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴 结构 释放 方法 晶片 | ||
【主权项】：
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