[发明专利]微同轴结构腔体释放方法及微同轴结构晶片

权利要求书

1.一种微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，包括：

对待释放腔体的晶圆样品进行表面处理，以露出所述晶圆样品的顶层种子层；

去除所述顶层种子层；

利用曝光工艺和显影工艺去除所述晶圆样品的中间种子层与所述顶层种子层之间的第一光刻胶，并带离第一黏附层，以及通过微同轴结构侧壁的释放孔去除所述微同轴结构腔体内的第二光刻胶，其中，所述第一粘附层位于所述顶层种子层与所述第一光刻胶之间。

2.根据权利要求1所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，还包括：

去除所述中间种子层；

利用曝光工艺和显影工艺去除所述晶圆样品的第三光刻胶，并带离第二黏附层，其中，所述第三光刻胶位于所述晶圆样品的底层种子层与所述中间种子层之间，所述第二黏附层位于所述第三光刻胶与所述中间种子层之间；

去除所述底层种子层。

3.根据权利要求1所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，

在去除所述第二光刻胶的过程中的所述曝光工艺的光照通过所述释放孔传导至所述微同轴结构腔体内的所述第二光刻胶。

4.根据权利要求2所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，

所述种子层包括所述顶层种子层、所述中间种子层和所述底层种子层；

至少一层所述种子层的去除，包括：

将所述晶圆样品置入硫酸和双氧水的混合液中浸泡后清洗，重复至少两次。

5.根据权利要求4所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，

所述硫酸和所述双氧水的混合液中所述硫酸的质量分数为0.5％至2％，所述双氧水的质量分数为0.5％至2％；和/或，

所述将所述晶圆样品置入硫酸和双氧水的混合液中浸泡后清洗的重复次数为2次至5次，单次浸泡时间为10秒至50秒。

6.根据权利要求1所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，

所述对待释放腔体的晶圆样品进行表面处理，以露出所述晶圆样品的顶层种子层，包括：

利用等离子水对所述晶圆样品的表面进行清洗；

对表面清洗后的所述晶圆样品进行曝光和显影，以去除顶层光刻胶，露出所述顶层种子层。

7.根据权利要求6所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，

去除所述顶层光刻胶的曝光时间为1min至10min，曝光机温度为20℃至40℃，曝光机功率为500W至1000W。

8.根据权利要求2所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，

所述曝光工艺采用紫外光；和/或，

所述曝光工艺的曝光机的功率为800W至1000W，曝光机温度小于40℃；和/或，

所述曝光工艺的曝光时间为1min至30min。

9.根据权利要求2所述的微同轴结构腔体释放方法，其特征在于，

所述显影工艺中显影液的四甲基氢氧化铵的质量分数为2.3％至5％；和/或，

所述显影工艺的显影时间为10min至60min。

10.一种微同轴结构晶片，其特征在于，所述微同轴结构晶片是根据权利要求1-9中任一项所述的微同轴结构腔体释放方法制备得到的。