[发明专利]确定纳米光刻技术工艺窗口的方法在审

专利信息
申请号: 202211532593.7 申请日: 2022-11-29
公开(公告)号: CN115755540A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 刘丽红;韦亚一;董立松;张利斌;丁虎文 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 苑晨超
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法,所述方法包括:依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像,获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线;依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像,获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线;依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线,分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线;依据第一泊松曲线和第二泊松曲线,分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口;将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分,确定为目标工艺窗口。本发明提供的确定纳米光刻技术工艺窗口,能够通过光强曲线经过较少的计算量得到适用的工艺窗口,并有效对工艺窗口进行验证。
搜索关键词: 确定 纳米 光刻 技术 工艺 窗口 方法
【主权项】:
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