[发明专利]确定纳米光刻技术工艺窗口的方法

权利要求书

1.一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，其特征在于，所述方法包括：

依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；

依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线；

依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线；

依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口；

将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线包括：

依预定的步进调整聚焦值；

每调节一次聚焦值，以纳米光照射所述成像模型，沿垂直于所述成像模型的线条或沟槽的方向获取当前聚焦值对应的光强分布曲线；其中，当成像模型为单线条成像模型时，当前聚焦值对应的光强分布曲线具有一个峰；当成像模型为单沟槽成像模型时，当前聚焦值对应的光强分布曲线具有两个峰；

将多个聚焦值下的光强分布曲线作为第一光强分布曲线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，依据所述第一光强分布曲线，获取第一泊松曲线包括：

沿多个目标光强坐标构建垂直于光强坐标轴的直线；

依据每个聚焦值对应的曲线中的峰与每个直线的交点之间的距离确定线宽值；

依据所述线宽值和聚焦值，构建对应目标光强下的泊松曲线；

将多个目标光强下的泊松曲线作为第一泊松曲线。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线包括：

依预定的步进调整聚焦值；

每调节一次聚焦值，以纳米光照射所述成像模型，沿垂直于所述成像模型的线条或沟槽的方向获取当前聚焦值对应的光强分布曲线；其中，当前聚焦值对应的光强分布曲线具有多个峰，每个峰对应于掩膜的一个线条；

将多个聚焦值下的光强分布曲线作为第二光强分布曲线。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，依据所述第二光强分布曲线，获取第二泊松曲线包括：

沿多个目标光强坐标构建垂直于光强坐标轴的直线；

依据每个聚焦值对应的曲线中的多个峰两侧与每个直线的交点之间的距离确定线宽值；

依据所述线宽值和聚焦值，构建对应目标光强下的泊松曲线；

将多个目标光强下的泊松曲线作为第二泊松曲线。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，依据每个聚焦值对应的曲线中的多个峰与每个直线的交点之间的距离确定线宽值包括：

依据每个聚焦值对应曲线的每个峰两侧与每个直线的交点之间的距离，确定多个待处理线宽值；

依据所述多个待处理线宽值，确定平均值，并将所述平均值确定为线宽值。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据第一泊松曲线，获取第一工艺窗口包括：

依据单线条或单沟道成像模型的目标线宽值和预定的误差范围，确定第一线宽范围；

依据所述第一线宽范围的最大值和最小值，构建垂直于线宽值坐标轴方向的直线；

依据所述直线与所述第一泊松曲线的交点对应的目标光强，构建第一工艺窗口。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据第二泊松曲线，获取第二工艺窗口包括：

依据多线条成像模型的目标线宽值和预定的误差范围，确定第二线宽范围；

依据所述第二线宽范围的最大值和最小值，构建垂直于线宽值坐标轴方向的直线；

依据所述直线与所述第二泊松曲线的交点对应的目标光强，构建第二工艺窗口。