[发明专利]一种栅极硬掩膜层的去除方法在审
| 申请号： | 202211525724.9 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115910757A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张栖瑜;司静;傅怡;宁宁;曾朝娇 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明的栅极硬掩膜层的去除方法，在栅极的氧化物硬掩膜层去除前，通过形成一层具有高填充能力的有机绝缘层，将氧化物硬掩膜层和有源区覆盖，采用回蚀工艺刻蚀至氧化物硬掩膜层裸露，在氧化物硬掩膜层和有机绝缘层上覆盖光刻胶层，使得光刻胶层和有机绝缘层趋于平坦化，再通过曝光、显影以显露氧化物硬掩膜层，然后通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除栅极上方的氧化物硬掩膜层，最后去除有源区上方的光刻胶层和有机绝缘层。本发明使得第一栅极之间不会产生孔洞，消除了由于衬底上不同图形密度所造成有机绝缘层的厚度不同导致的对有源区产生损伤的可能，且在氧化物硬掩膜层刻蚀的过程中不会产生硬掩膜残留，提高器件产品的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 硬掩膜层 去除 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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