[发明专利]一种栅极硬掩膜层的去除方法在审
| 申请号： | 202211525724.9 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115910757A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张栖瑜;司静;傅怡;宁宁;曾朝娇 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 硬掩膜层 去除 方法 | ||
1.一种栅极硬掩膜层的去除方法，其特征在于，所述去除方法包括以下步骤：
提供具有半导体衬底、栅极和有源区的半导体基底，且所述栅极上形成有自下而上叠置的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，所述栅极包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极之间具有第一间距，所述第二栅极之间具有第二间距，且所述第一间距小于所述第二间距；
于所述半导体衬底上形成有机绝缘层，所述有机绝缘层高于所述第二硬掩膜层且覆盖所述有源区、所述第一栅极以及所述第二栅极；
去除部分所述有机绝缘层以显露所述第二硬掩膜层；
于剩余所述有机绝缘层上方形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述第二硬掩膜层和所述有机绝缘层，形成平坦化表面；
去除所述第二硬掩膜层上方的光刻胶层，显露所述第二硬掩膜层的顶面；
以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第二硬掩膜层以显露所述第一硬掩膜层。
2.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：去除所述第二硬掩膜层之后还包括去除所述有源区上的光刻胶层和有机绝缘层的步骤。
3.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述第二栅极的高度等于所述第一栅极的高度，所述第一栅极的宽度小于所述第二栅极的宽度。
4.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述第一间距处的所述有机绝缘层的厚度大于所述第二间距处的所述有机绝缘层的厚度。
5.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：所述第一硬掩膜层为氮化硅硬掩膜层，所述第二硬掩膜层为氧化物硬掩膜层。
6.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：形成所述有机绝缘层的工艺采用旋涂工艺。
7.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：去除所述有机绝缘层的工艺采用回蚀工艺。
8.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：形成光刻胶层后，还包括曝光、显影所述光刻胶层的步骤。
9.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于：去除所述第二硬掩膜层的工艺采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或化学机械研磨工艺。
10.根据权利要求1至9其中任一项所述的栅极硬掩膜层的去除方法，其特征在于：适用于技术节点为40纳米以下的制程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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