[发明专利]具有梯度薄膜结构的电子突触器件及其制备方法和设备在审
| 申请号： | 202211486013.5 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115768250A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 钟高阔;唐铭锴;邹娟;张园;陈骞鑫;戴李雨芬 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胥巧莉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有梯度薄膜结构的电子突触器件及其制备方法和设备，所述具有梯度薄膜结构的电子突触器件的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在所述衬底上沉积形成底电极层；通过移动至少一块第一掩膜版在所述底电极层上沉积形成不同厚度的功能区域；在各所述功能区域远离衬底的一端沉积顶电极层，得到具有梯度薄膜结构的电子突触器件。本申请解决了现有技术利用不同厚度对氧化物薄膜进行性能调控的准确性较低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯度 薄膜 结构 电子 突触 器件 及其 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
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