[发明专利]用于碳化硅器件的屏蔽结构在审
| 申请号： | 202211473483.8 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN116153984A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | M·海尔;C·伦德茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;吕传奇 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件，包括：在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；第二导电类型的本体区，本体区包括在平面栅极结构下方邻接源极区的沟道区带；以及第二导电类型的屏蔽区，其在至少20%但是小于100%的栅极长度上覆盖沟道区带，其中屏蔽区中的最大掺杂剂浓度高于本体区中的最大掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 器件 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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