[发明专利]用于碳化硅器件的屏蔽结构

权利要求书

1.一种碳化硅器件，包括：

在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；

第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；

第二导电类型的本体区，本体区包括在平面栅极结构下方邻接源极区的沟道区带；以及

第二导电类型的屏蔽区，其在至少20%但是小于100%的栅极长度上覆盖沟道区带，

其中屏蔽区中的最大掺杂剂浓度高于本体区中的最大掺杂剂浓度。

2.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中屏蔽区在与横向第一方向正交的横向第二方向上延伸通过源极区，使得源极区被分段成在栅极长度的至少一部分上被屏蔽区彼此分离开的多个区段。

3.根据权利要求2所述的碳化硅器件，进一步包括：

第二导电类型的本体接触区，其在源极区的与屏蔽区相对的一侧处邻接本体区和源极区这两者，

其中在本体接触区中的最大掺杂剂浓度高于在本体区中的最大掺杂剂浓度，

其中屏蔽区在源极区的区段之间与本体接触区合并。

4.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中源极区在栅极长度上不被屏蔽区中断，使得屏蔽区在一侧上是由源极区界定的。

5.根据权利要求1所述的碳化硅器件，进一步包括：

第一导电类型的电流扩布区，其在平面栅极结构下方并且邻接沟道区带的与源极区相对的一侧，使得沟道区带在一侧上由源极区界定并且在相对的侧上由电流扩布区界定，

其中电流扩布区从第一表面延伸到碳化硅衬底的漂移区带，

其中漂移区带在本体区和源极区这两者下方延伸。

6.根据权利要求5所述的碳化硅器件，其中屏蔽区在与横向第一方向正交的横向第二方向上延伸通过电流扩布区。

7.根据权利要求5所述的碳化硅器件，其中屏蔽区在一侧上由源极区界定并且在相对的侧上由电流扩布区界定。

8.根据权利要求1所述的碳化硅器件，进一步包括：

在本体区和源极区这两者下方的第二导电类型的掩埋屏蔽区，

其中掩埋屏蔽区中的最大掺杂剂浓度高于本体区中的最大掺杂剂浓度，

其中屏蔽区和掩埋屏蔽区在竖向上彼此邻接以在横向第一方向、与横向第一方向正交的横向第二方向以及与横向第一方向和横向第二方向这两者正交的竖向方向中的每个上提供屏蔽。

9.根据权利要求1所述的碳化硅器件，其中屏蔽区至少30%但是小于100%的栅极长度上覆盖沟道区带。

10.一种碳化硅器件，包括：

在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；

第一导电类型的第一源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构的第一侧下方延伸；

第二导电类型的第一本体区，第一本体区包括在平面栅极结构下方邻接第一源极区的沟道区带；

第一导电类型的第二源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构的与第一侧相对的第二侧下方延伸；

第二导电类型的第二本体区，第二本体区包括在平面栅极结构下方邻接第二源极区的沟道区带；

第一导电类型的电流扩布区，其在平面栅极结构下方将第一本体区的沟道区带和第二本体区的沟道区带彼此分离开；以及

第二导电类型的屏蔽区，其在至少20%但是小于100%的栅极长度上覆盖第一本体区的沟道区带和第二本体区的沟道区带这两者。

11.根据权利要求10所述的碳化硅器件，其中屏蔽区在与横向第一方向正交的横向第二方向上延伸通过第一源极区和第二源极区这两者，使得第一源极区和第二源极区的每个被分段成在栅极长度的至少一部分上被屏蔽区彼此分离的多个区段。