[发明专利]一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法在审
| 申请号： | 202211470536.0 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115692672A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 任东风;文贵强;张喆;李玉峰;刘海东;陈涛;李新雨;王文齐 | 申请（专利权）人： | 凯盛石墨碳材料有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 马玲 |
| 地址： | 617000 四川省攀枝*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法，其特征在于：（1）将2‑氨基‑6‑(1‑乙基戊基）‑3H‑嘧啶‑4‑酮和1,1‑羰基二咪唑按摩尔比1：1~2混合，加三氯甲烷，20~60℃反应2~24h，得异胞嘧啶异氰酸酯；（2）将纳米硅分散于乙醇水溶液中，二者质量体积比为1:48~53，加溶液体积0.2~0.3%的氨丙基三甲氧基硅烷，20~70℃反应2~24h，得表面修饰氨基的纳米硅；（3）将表面修饰氨基的纳米硅分散于三氯甲烷中，二者的质量体积比为0.4~0.6：30，加入表面修饰氨基的纳米硅质量8~12%异胞嘧啶异氰酸酯，20~60℃反应2~24h，得脲基嘧啶酮分子修饰的纳米硅。本发明优点：工艺简单、反应条件温和；通过多重氢键的动态强超分子作用，抑制硅纳米粒子在反复充放电过程中的膨胀，并防止纳米硅的粉化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嘧啶 分子 修饰 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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