[发明专利]一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法在审
申请号: | 202211470536.0 | 申请日: | 2022-11-23 |
公开(公告)号: | CN115692672A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 任东风;文贵强;张喆;李玉峰;刘海东;陈涛;李新雨;王文齐 | 申请(专利权)人: | 凯盛石墨碳材料有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M10/0525 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 马玲 |
地址: | 617000 四川省攀枝*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种脲基嘧啶酮分子修饰纳米硅的制备方法,其特征在于:(1)将2‑氨基‑6‑(1‑乙基戊基)‑3H‑嘧啶‑4‑酮和1,1‑羰基二咪唑按摩尔比1:1~2混合,加三氯甲烷,20~60℃反应2~24h,得异胞嘧啶异氰酸酯;(2)将纳米硅分散于乙醇水溶液中,二者质量体积比为1:48~53,加溶液体积0.2~0.3%的氨丙基三甲氧基硅烷,20~70℃反应2~24h,得表面修饰氨基的纳米硅;(3)将表面修饰氨基的纳米硅分散于三氯甲烷中,二者的质量体积比为0.4~0.6:30,加入表面修饰氨基的纳米硅质量8~12%异胞嘧啶异氰酸酯,20~60℃反应2~24h,得脲基嘧啶酮分子修饰的纳米硅。本发明优点:工艺简单、反应条件温和;通过多重氢键的动态强超分子作用,抑制硅纳米粒子在反复充放电过程中的膨胀,并防止纳米硅的粉化。 | ||
搜索关键词: | 一种 嘧啶 分子 修饰 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
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